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   IGBT吸收薄膜電容  

   廣泛應用于新能源汽車、智能電網、變頻器、太陽能發電、感應加熱電源等領域。

 IGBT吸收薄膜電容

       應用特點:                                     

  有雙面金屬化薄膜、無感結構、低等效串聯電感,可承受較高的du/dt 能承受高脈沖電,ESR小,具有自愈性。適用所有IGBT模塊區域尖峰電壓的吸收保護。

       產品參數:

  額定電壓 700V.DC~3000V.DC

  額定容量 0.0047μF~10μF

  溫度范圍 -40°C~85°C

  容量偏差 ±5%, ±10%

  極間耐電壓 2Ur(DC) 10s 25±5℃

  極殼耐電壓 3000V 50Hz 60S, 25±5℃

  損耗角正切 Cr≤1.0μF tgδ≤5×10-4,Cr>1.0μF tgδ≤6×10-4

  絕緣電阻 C*IR≥30000S, at 100VDC,25±5℃,60S

  預期壽命 100000h at Ur and 70℃ 

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     超高壓大電流脈沖薄膜電容

      廣泛應用于新能源電動汽車、電機驅動、牽引、太陽能風力發電等領域。

超高壓大電流脈沖薄膜電容

     

  應用特點:

  1、可靠性高,能承受大波紋電流。

  2、具有良好的自愈特性和溫度穩定性;

  3、最高電壓可達100KV。


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